【金年会体育科技消息】9月1日，据韩媒报道，三星在“Semicon Tair:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鲩M(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫an 2026”大会上公布面向下一代存储技术的“CUBE”战略，计划通过3D垂直堆叠技术突破传统内存架构限制，进一步提升存储容量、带宽以及能效表现，为AI时代的数据处理需求提供支持。

三星

　　在大会主题演讲中，三星详细介绍了“CUBE”战略的核心方向。其中，CUBE分别代表Capacity（容量）、Utilization（利用率）、Bandr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鲩M(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫idth（带宽）以及Efficiency（能效），三星希望通过这四个方向推动存储技术持续升级。

　　三星表示，3D堆叠并不只是简单地将芯片叠放在一起，更重要的是优化每一层之间的功能分配和布局。通过缩短芯片之间的距离，形成高速数据通路，可以进一步提升带宽表现，同时改善单位功耗下的性能表现。

　　目前，三星已经在高带宽存储（HBM）领域持续推进3D封装技术。从HBM2到HBM4E、HBM5，三星不断提升产品容量、带宽、电源效率以及散热管理能力，以满足AI服务器不断增长的算力需求。

　　其中，三星从HBM2到HBM4E、HBM5持续迭代，世代性地提升容量、带宽、功耗效率和散热管理技术。其中HBM5的目标是实现相比HBM4E性能提升2倍、每瓦性能提升20%、热阻降低20%。

zNAND-O

　　面向更长远的技术规划，三星还披露了zHBM和zNAND-O的路线图。zHBM相比HBM4E目标实现性能提升8倍、每瓦性能提升3倍、热阻降低75%至90%，被视为在性能和效率层面超越现有极限的革新性产品。zNAND-O则提供比DRAM高10倍的比特密度以支持大语言模型所需的大规模容量，同时提供比NAND高7倍的读取带宽和功耗效率，计划于2028年开始提供样品。

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